改性Si₃N₄粉体

固化深度增53%

通过硅烷预包覆与氧化在粉体表面构筑均匀SiO₂层，降低折射率失配和光散射，并再经硅烷改性提升浆料流动性与稳定性，可实现复杂几何Si₃N₄陶瓷的高质量光固化成型。

刘双宇 · Pang, Mingbo · Ping, Lu · Liang, Cong · Wang, Binhua · Zhang, Fulong · Vasilieva, Tatiana M. · Chuanjin, Huang · 76690443 · Hong, Juan

Ceramics International 2025

参数信息

固化深度

192.7 μm

浆料粘度

7.69 Pa·s

浆料固含量

45 vol%

技术优势

固化深度显著提升

通过KH570预包覆和氧化在Si₃N₄表面生成均匀SiO₂层，降低了与树脂的折射率失配及光散射，1200 mW激光功率下固化深度达到192.7 μm。

浆料粘度降低

经过KH560二次改性，Si₃N₄浆料的流动性和稳定性增强，粘度降低20–30%。

保护晶格完整性

KH570预包覆层在氧化过程中保护Si₃N₄晶格，减轻氧化损伤，保持粉体结构完整性。

应用场景

• 陶瓷光固化打印：提供高固化深度和低粘度的Si₃N₄浆料，直接用于光固化打印。
• 复杂结构陶瓷件：利用该浆料可光固化成型具有复杂几何形状的Si₃N₄陶瓷部件。
• 高固含量陶瓷浆料：该技术实现了45 vol%的高固含量浆料制备，并保持低粘度。