Bi-Er-O掺杂压敏电阻

低残压高非线性

以Bi-Er-O相掺杂的ZnBiCoMnSb压敏陶瓷，可同时获得低残压梯度与高非线性系数，且漏电流极低。

王凯 · 初瑞清 · Cui, Fangfang · Wei, Yanliang · Yunkai, Zhao · Xuefang, Chen · 李国荣 · 徐志军

Materials Today Communications 2024

具体参数

击穿电压梯度
{'zh': '190', 'en': '190'} V/mm
非线性系数
{'zh': '55.6', 'en': '55.6'}
漏电流
{'zh': '2.5', 'en': '2.5'} μA/cm²

技术优势

低残压

190 V/mm的E1 mA意味着器件可以在较低的电压下导通，适合用于低压保护场合。

高非线性

α高达55.6，意味着从绝缘到导电的转变更加陡峭，保护响应更快、更可靠。

漏电流极低

2.5 μA/cm²的漏电流几乎不消耗功率，提升了器件的能效和长期稳定性。

应用场景