抗单点翻转
采用NMOS堆叠结构和冗余晶体管构建反馈回路，实现低功耗与抗单节点翻转，适用于高可靠性存储应用。
蔡烁 · Yan, Wen · Jiangbiao, Ouyang · 王伟征 · 余飞 · 李博
Microelectronics Journal 2023
通过冗余晶体管构成的反馈回路，能够完全恢复单节点翻转，部分恢复双节点翻转。
NMOS堆叠结构降低漏电，平均功耗比多种抗辐射SRAM降低30%。
读访问时间平均缩短9.27%，写访问时间平均缩短10.35%。