MnSb₂Se₄纳米复合n型Bi₂Te₂.₇Se₀.₃

ZT峰值提升48%

通过MnSb₂Se₄纳米夹杂物与位错协同散射声子,在提升功率因子的同时大幅降低晶格热导率,使n型碲化铋复合材料的热电优值在宽温域内显著提高。

Chen, Tao · 秦晓英 · Ming, Hongwei · Zhang, Xuemei · Wang, Ziyuan · Yang, Shuhuan · 张永胜 · 葛振华 · 辛红星 · 李地 · 张健

Chemical Engineering Journal 2023

具体参数

峰值热电优值 ZTmax
{'zh': '1.23', 'en': '1.23'}
平均热电优值 ZTave
{'zh': '1.15', 'en': '1.15'}
峰值ZT提升幅度
{'zh': '48', 'en': '48'} %
平均ZT提升幅度
{'zh': '42', 'en': '42'} %
维氏硬度提升幅度
{'zh': '17', 'en': '17'} %

技术优势

ZT提高近一半

ZT峰值达到1.23,比纯BTS提高约48%;平均ZT达到1.15,提高约42%,覆盖300–473K温区。

功率因子更高

MnSb₂Se₄引入能量过滤效应,增强塞贝克系数,从而使功率因子提高。

热导率更低

纳米夹杂物和位错增强声子散射,显著降低晶格热导率。

硬度更高

维氏硬度比纯BTS提高17%,机械性能更好,有利于加工和器件可靠性。

应用场景