TAEA钙钛矿表面n型掺杂剂

效率氧稳双升

用多胺分子替代碘空位实现钙钛矿表面n型掺杂，同时提升器件效率与薄膜氧稳定性。

Fang, Wan · 邓文 · Tang, Xianglan · Peng, Xinxin · Jixuan, Zhou · 黄寒 · 杨斌 · Lin, Zhang · 陈智慧 · 王迎威 · 丁黎明 · 袁永波 · 林允 · Yu, Zhou · 何军

Nano Research 2025

具体参数

开路电压
1.16 V
填充因子
82.9 %
能量转换效率
23.4 %
离子迁移活化能
0.67 eV

技术优势

氧稳定性不降反升

TAEA填充碘空位，避免了碘空位引起的氧稳定性下降，与使用碘空位掺杂形成鲜明对比。

抑制离子迁移

TAEA填充碘空位后，离子迁移活化能从0.43 eV提高到0.67 eV，离子迁移更难发生。

效率大幅提升

开路电压从1.08 V升至1.16 V，填充因子从76.2%升至82.9%，共同推动效率从19.4%升至23.4%。

应用场景