阻变比超10⁶
通过基板、溅射与退火条件协同优化，获得低电阻率晶态GeTe薄膜，兼顾高开关比。
Shuai, Chenyang · 郑月军 · 陈强 · Ma, Yanli · Fu, Yunqi Qin
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica 2024
在Al₂O₃基板上生长的GeTe薄膜比在SiO₂基板上获得更高结晶度，从而电阻率更低。
中等溅射功率（50–80 W）搭配低气压（2–3 mTorr）有利于获得低晶态电阻率。
较高的退火温度（350–400 ℃）能够实现更低的薄膜电阻率。
基于长方形GeTe薄膜芯片构建的并联毫米波开关具有零静态功耗。