114.7%阈值电压恢复
一种带有GIDL电流修复功能的硅p-FinFET器件，其热载流子退化修复效果超出常规，展现出过修复特性。
Chang, Hao · 杨红 · 刘倩倩 · Ji, Zhigang · Yun, Ruixin · Wu, Zhenhua · 殷华湘 · 都安彦 · 李峻峰 · 罗军 · 王文武
Nanomaterials 2023
GIDL偏压从3 V增加到4 V时，阈值电压恢复率从原始HCD状态提高到114.7%，意味着器件性能不仅完全恢复，还超过了初始状态。
GIDL修复后，在硅导带附近的氧化物陷阱密度增加34%，这些额外陷阱捕获更多电子，增强了阈值电压的稳定性。
测量时间缩短至约30 μs，能够捕捉GIDL修复过程中的快速瞬态陷阱行为，为理解过修复机制提供支持。