500–1100 nm连续覆盖
Eu²⁺占据单一高畸变格位，突破Cr³⁺体系在近红外区的带宽与效率瓶颈
唐作彬 · Du, Feng · 赵磊 · 刘虎 · Leng, Zhihua · 谢会东 · Zhang, Gangyi · Wang, Yuhua
Laser and Photonics Reviews 2023
发射带连续覆盖500–1100 nm，远超传统Cr³⁺掺杂材料的带宽，可同时获取可见到近红外区的丰富光谱信息。
光致发光量子产率达48.8%，在宽带近红外荧光粉中属较高水平，提升器件能量转换效率。
采用石墨坩埚包埋刚玉坩埚的烧结方案，促进Eu³⁺向Eu²⁺转化，稳定获取所需价态。
Eu²⁺仅占据高畸变的Ba3O3Br4多面体格位，避免多格位发光引起的谱带展宽不均匀，有助于实现平滑宽带发射。