Ge梯度掺杂CZTSSe吸收层

V型带隙增益

通过Ge梯度掺杂构建V型带隙，在扩大耗尽区复合势垒的同时保持光吸收，实现效率与开压的同步提升。

郭锐 · Li, Xue · 姜雨虹 · Zhou, Tianxiang · Yiming, Xia · Pan, Wang · Yuan, Liang · 隋瑛锐 · 姚斌 · 刘洋

Ceramics International 2024

具体参数

太阳能电池效率

{'zh': '8.03', 'en': '8.03'} %

开路电压

{'zh': '0.45', 'en': '0.45'} V

技术优势

缺陷减少

Ge掺杂有效减少了CZTSSe吸收层中SnZn缺陷和[2CuZn+SnZn]缺陷簇的形成。

带隙可调

通过构建V型带隙，在扩大耗尽区复合势垒的同时保持光吸收，实现了Voc和Jsc之间的最佳平衡。

效率提升

采用V型掺杂的器件在开路电压0.45 V时获得最高效率8.03%，为高效kesterite光伏器件提供了新的吸收层结构。

应用场景

• CZTSSe太阳能电池：用Ge梯度掺杂吸收层制备高效CZTSSe电池，缺陷更少、开压更高。
• 薄膜光伏：提供可调的V型带隙吸收层，提升薄膜光伏器件的光电转换效率。
• 半导体吸收层：通过Ge掺杂抑制缺陷、调控带隙，获得高质量半导体吸收层。