悬挂式薄膜Micro-LED

光提取效率显著提升

采用背面工艺去除硅衬底，获得不同GaN外延层厚度的悬挂式薄膜LED，光提取效率和可见光通信性能优于同结构未刻蚀器件。

施政 · Tianlong, Xie · Tianshui, Chang · Xie, Mingyuan · Ting, Yu · Zhenxing, Li · 蒋妍 · 高绪敏 · 王永进 · 赵海涛

Optics Express 2024

参数信息

3.5 V下电流

99 mA

峰值光强提升倍数

1.3 ×

GaN外延层厚度

5 µm

GaN外延层厚度

4.5 µm

GaN外延层厚度

4 µm

技术优势

消除衬底吸收

背面刻蚀完全去除硅衬底，消除衬底吸收和应力缺陷，提升光提取效率。

提升电流和光强

5分钟刻蚀的LED光电性能更优：3.5 V下电流从75 mA升至99 mA，50 mA下峰值光强提升1.3倍。

通信眼图更清晰

在可见光通信测试中，10分钟刻蚀的LED眼图更清晰，表明信号质量高，适用于高速数据传输。

应用场景

• Micro-LED显示：无衬底减薄芯片减少光损耗，提升像素亮度和效率。
• 可见光通信：眼图更清晰，可提高通信速率与信号可靠性。
• 硅基光电子：去除硅衬底利于与薄膜光学元件集成。