SnSe₂接触MoTe₂晶体管

单极p型·高速光电探测

用简并SnSe₂做接触可将肖特基势垒降至13.1 meV，赋予MoTe₂晶体管少见的单极p型导电和纳秒级光电响应。

Lei, Wenyu · Wen, Xiaokun · Zhang, Gaojie · Di, Boyuan · 吴豪 · Xin-Yue, Xu · Weijia, Tang · 张有为 · 常海欣 · 张文峰

ACS Photonics 2025

参数信息

肖特基势垒

13.1 meV

光响应度

616.7 A/W

响应速度

40 ns

3 dB带宽

47 MHz

技术优势

势垒几乎消除

SnSe2接触使肖特基势垒低至13.1 meV，近似欧姆接触，载流子注入效率大幅提高。

高速探测

光电响应时间仅40 ns，3 dB带宽47 MHz，适用于快速光通信和成像。

应用场景

• 高速光电探测器：响应时间40 ns、带宽47 MHz，适用于高速光通信接收端。
• 2D材料光传感器：MoTe2/SnSe2异质结提供高光响应度和探测率，可用于2D材料光传感。
• 低维电子器件：实现了常被抑制的单极p型MoTe2晶体管，拓展低维器件在逻辑电路中的应用。