三阶机电耦合翻倍
该谐振器通过外区金属化设计和壁厚调控,使薄壁结构的第三模态机电耦合系数显著超越基模,为MEMS谐振器性能优化提供了新途径。
Zakaria, Ech-chaachoui · Khalid, Ait Cheikh · Khalfi, H. · Rabab, Raghib · Naciri, Ismail · Elmaimouni, Lahoucine · 禹建功 · Bybi, Abdelmajid
Wave Motion 2026
通过调控内外半径比,第三模态动态机电耦合系数可达实体圆盘的2.03倍,为高频谐振器提供更强的机电转换能力。
通过在外区施加金属化并利用区域特定的边界条件,可有效调节谐振与反谐振频率,为器件设计提供额外自由度。