BiVO4光阳极

晶面调控提效5倍

通过TiCl3结构导向剂控制{010}晶面垂直生长,显著提高光生载流子注入效率。

Chen, Wanhu · Dong, Guojun · 张亚军 · 韩卫华

Materials Science in Semiconductor Processing 2023

参数信息

光电流密度
1.07 mA/cm2

技术优势

载流子注入效率提升

{010}晶面不同的电荷转移距离增大了电荷分离能力,从而提升注入效率。

光电流大幅提升

通过控制{010}晶面面积比和取向,光电流密度从0.20提升到1.07 mA/cm2。

应用场景