分裂栅功率MOSFET

超宽安全工作区

该器件通过分时分区导通栅控制,克服了安全工作区与导通电阻之间的折中,线性工作能力媲美英飞凌最新商用线性MOSFET。

Wu, Tuanzhuang · Wei, Jiaxing · Tong, Xin · Tianyi, He · Li, Sheng · Zhang, Long · Liu, Siyang · Desheng, Ding · Sun, Weifeng

IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 2024

技术优势

线性能力比肩英飞凌

该器件的线性工作能力高到足以与英飞凌最新商用线性MOSFET产品相比。

解开SOA与电阻的死结

通过智能功率MOSFET架构同时获得超宽安全工作区和低导通电阻,突破了传统折中。

宽安全工作区

通过降低电流温度系数提高热稳定性,使安全工作区显著扩展。

应用场景