超宽安全工作区
该器件通过分时分区导通栅控制,克服了安全工作区与导通电阻之间的折中,线性工作能力媲美英飞凌最新商用线性MOSFET。
Wu, Tuanzhuang · Wei, Jiaxing · Tong, Xin · Tianyi, He · Li, Sheng · Zhang, Long · Liu, Siyang · Desheng, Ding · Sun, Weifeng
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 2024
该器件的线性工作能力高到足以与英飞凌最新商用线性MOSFET产品相比。
通过智能功率MOSFET架构同时获得超宽安全工作区和低导通电阻,突破了传统折中。
通过降低电流温度系数提高热稳定性,使安全工作区显著扩展。