Cr掺杂MoS₂纳米片

室温铁磁

通过化学气相沉积实现铬掺杂，在300 K下仍保持稳定铁磁性，突破了二维磁性半导体低居里温度的限制。

Shaolong, Min · Li, You · Ziyang, Qu · Liu, Mingyan · Zhao, Yibin · Hongqian, Zheng · 黄呈熙 · Erjun, Kan · 万逸

Journal of Applied Physics 2025

具体参数

铁磁稳定温度

{'zh': '300', 'en': '300'} K

磁性测量温度范围

{'zh': '10-300', 'en': '10-300'} K

技术优势

室温就磁

Cr掺杂使MoS₂在300 K仍保持铁磁性，直接解决了本征二维磁性半导体居里温度低的问题。

CVD直接生长

通过一步化学气相沉积直接合成掺杂纳米片，无需后处理掺杂步骤。

应用场景

• 磁存储器件：利用300K磁滞回线实现非易失数据存储，不再低温制冷。
• 自旋场效应晶体管：室温磁性半导体沟道直接注入自旋极化载流子，无需外磁场。
• 二维磁性半导体：提供一种高居里温度的二维稀磁半导体，拓展二维磁性材料库。
• 量子与拓扑器件：有潜力的二维磁性平台，用于探索量子输运或拓扑边缘态。