AlN高温共烧陶瓷频率选择透射器

1000 °C 稳定透射

利用钨结构与AlN陶瓷共烧,在高温下实现X至Ku波段的频率选择透射,结构密封防止氧化,设计自由度大幅提升。

员招 · Bo, Feng · Jiang, Jinming · Wang, Congmin · Yongfeng, Li · Jiang, Lixin · Mingbao, Yan · 正林 · Wang, Jiafu · Hua, Ma · 屈绍波

Journal of Alloys and Compounds 2024

参数信息

AlN介电常数稳定性温度
1000 ℃

技术优势

1000 °C下介电性能稳定

AlN陶瓷在1000 ℃下介电常数保持不变,为高温下的电磁响应提供可靠基板。

金属结构不被氧化

钨金属结构被密封在陶瓷夹层中,在高温下与氧气隔绝,保持导电性。

单双层实现多通带

通过单层和双层结构设计,可以分别实现X到Ku波段的单通带和双通带频率选择透射。

高温共烧工艺可行

采用高温共烧技术,通过叠层、层压和共烧,将金属结构加工在密封夹层中,制造出器件。

应用场景