MoS2基柔性忆阻器

低温弯曲性能稳定

一种以MoS2为功能层的柔性忆阻器,在低温弯曲疲劳条件下表现出优于现有柔性忆阻器的突触稳定性。

Yuan-Hao, Guo · Hai-Jiao, Men · Qi, Shuaishuai · 李建昌

Ceramics International 2025

参数信息

弯曲循环次数
10,000 次

技术优势

揭示低温失效机制

明确指出P3HT结晶度增加与PDMS脆性转变导致热应力集中,为低温可靠性设计提供依据。

应用场景