12T SRAM电路

集成存内逻辑与搜索

该电路在单一存储单元内集成存内逻辑运算与双模式内容寻址功能,支持行列双向访问,显著提升数据密集型任务的能效。

Liao, Congwei

International Journal of Circuit Theory and Applications 2025

参数信息

column at V
50.6 %
供电时仍可工作于
203 MHz
逻辑模式下能效
1.96 fJ/search/bit