低自旋NiSₓ纳米片

低过电位

液氮淬火诱导的高自旋到低自旋转变优化了中间体吸脱附,降低了决速步能垒,使析氢和析氧过电位分别降至78.1 mV和210.0 mV。

Tianqi, Wang · Guo, Wenxin · Guo D. · Ning, Liu · Dawei, Chu · Li, Yue · 李金龙 · Chu, Dawei

Advanced Functional Materials 2026

参数信息

析氢过电位
78.1 mV
析氧过电位
210.0 mV
全解水电压
1.59 V
AEMWE稳定运行时间
150 h
电位衰减速率
1.13 mV h⁻¹

技术优势

降低过电位

低自旋态优化了中间体吸脱附,使HER析氢过电位降低至78.1 mV,OER析氧过电位降低至210.0 mV。

稳定运行超150小时

在AEMWE中,阳极在1.25 A cm⁻²下稳定运行超过150小时,电位衰减仅1.13 mV h⁻¹,证明结构稳健。

降低能垒

DFT计算证实低自旋态在降低电位决定步骤能垒中的关键作用,从而促进反应动力学。

应用场景