ZnO压敏电阻

交流老化后漏电流仅2.9 μA

通过单晶界表征与数值模拟厘清了ZnO压敏电阻交流老化的微观机制：双肖特基势垒晶界面积分数减少是核心，为抗老化配方优化提供了直接依据。

Meng, Pengfei · Ziyan, Chen · Wei, Li · Xinya, Zeng · Qizhe, Li · Yue, Yin · 李泽瑞 · Xinyu, Tang · Yikai, Sun · 吴隆文

Journal of the European Ceramic Society 2026

参数信息

非线性系数

55.2

漏电流

2.9 μA

电压梯度

450 V/mm

单晶界击穿电压

3–4, 6–7 V

技术优势

电压梯度不衰减

老化48 h后电压梯度仍为450 V/mm，保护水平稳定。

漏电流增幅可控

48 h交流老化后漏电流仅从1.7增至2.9 μA，仍处μA级。

定位老化机制

确证双肖特基势垒晶界面积分数减少是核心退化路径，为抗老化配方提供靶点。

应用场景

• 过电压保护器件：用于压敏电阻老化评估，提升器件长期可靠性。
• 电力系统防雷：提供老化数据支持，帮助预测压敏电阻在电网中的寿命。
• 通信基站防雷：指导基站防雷用压敏电阻的选型与维护周期。