Mn掺杂BIT基储能薄膜

中低场下能量密度破百

通过Mn³⁺离子掺杂与缺陷工程协同，在中等电场下实现弛豫铁电体的极化增强与高绝缘，显著提升储能密度与响应系数。

Shujun, Pang · 周云鹏 · Runjie, Wang · Tang, Zhehong · Yupei, Wang · Ruonan, Yao · 刘全龙 · Guo, Fei · 陈介煜

Journal of the European Ceramic Society 2025

具体参数

储能密度
{'zh': '102.49', 'en': '102.49'} J/cm³
储能响应系数
{'zh': '0.03568', 'en': '0.03568'} J/kV·cm²

技术优势

中低场下储能破百

在2350 kV/cm中低电场下，储能密度从67.67 J/cm³提升到102.49 J/cm³，无需高场即可获得高储能，降低了器件运行风险。

储能响应系数高

储能响应系数达到0.03568 J/kV·cm²，意味着单位电场的储能增量大，适合在小幅度调压下高效充放电。

宽温域稳定工作

在20 °C到120 °C温区内保持稳定的储能性能，满足极端环境应用需求。

应用场景