编程能耗亚纳焦
采用铁电编程栅实现N/P模式非易失重构,将单次编程能耗降至亚纳焦耳,且耐受毫秒脉冲应力,为高能效可重构集成电路提供新器件方案。
Zheng, Siying · 周久人 · Yupeng, Yao · Faxin, Jin · Liu, Ning · Wenxin, Sun · Liang, Jie · 刘艳 · 郝跃 · 韩根全
IEEE Electron Device Letters 2024
单次编程能耗低于纳焦
在1 ms脉冲应力下可承受超过10⁴次编程循环
工作模式保持至少10⁴秒