抗弯强度提升59%
通过原位生长超长碳化硅晶须形成网络骨架，结合选择性激光烧结与液相渗硅，获得低残余硅/碳、高力学性能的复相陶瓷，适用于复杂形状光学构件。
Yang, Lixia · Guoqiang, Wen · 陈照峰 · Pengze, Yang · Lijun, Xiong · 刘凯 · 高希光 · 宋迎东
Composites Part A: Applied Science and Manufacturing 2026
晶须网络在LSI过程中形成细化的SiCw/C骨架，减少残余硅和碳，使抗弯强度提升约59%，断裂韧性提升约20%。
通过低成本碳热还原蒸发工艺在SLS多孔SiC坯体内原位生长晶须，不引入金属催化剂，避免杂质残留。
SLS工艺可制备复杂形状SiC坯体，结合原位晶须生长和渗硅，突破传统制造对形状的限制。