催化复合磨料团簇

抛光效率倍增

自带催化产氧能力，促进SiC表面生成易去除剪切膜，在提升去除率的同时改善表面粗糙度。

王占奎 · Yangyang, Ding · 黄赏赐 · Pengzhan, Wang · 赵红远 · Yunlong, Yao · 逄明华 · Fengming, Qin · 马利杰 · 苏建修

Journal of Manufacturing Processes 2024

参数信息

材料去除率

250.934 nm/min

相对复合磨料团簇（CAC）的去除率提升

24.1 %

技术优势

去除率翻倍

对 6H-SiC 的材料去除率达 250.934 nm/min，是同粒径 W14 单晶金刚石的 2 倍，显著提升加工效率。

表面质量更好

在去除率更高的同时，加工后表面粗糙度比单晶金刚石和未催化团簇更低，可直接用于后续工序。

原位产氧促剥离

抛光中 CCAC 会原位生成氧气，促进 SiC 表面形成剪切膜，使材料更容易被去除，这是去除率提升的机理。

应用场景

• SiC晶圆抛光：直接替代传统金刚石抛光液，提升 SiC 晶圆加工效率。
• 功率半导体衬底加工：为功率器件衬底提供高效率、低损伤的抛光方案。
• 超精密表面加工：在保证表面粗糙度的同时实现高去除率，适用于精密表面加工。
• 先进磨削与抛光工具：作为新型工具磨料，替代单一机械作用的金刚石磨料。