In-S配位SPAN正极

高载量下容量破千

通过可重构的In-S配位网络动态调控硫键合态,显著提升硫利用率与反应动力学

Gong, Yi · Miaoran, Xu · 杨凯 · Anguita, José Virgilio · Zhang, Wei · Silva, S. Ravi P. · 高彦峰 · 张宗涛

Advanced Science 2025

具体参数

比容量
{'zh': '1048', 'en': '1048'} mAh·g⁻¹
活性物质含量
{'zh': '47.4', 'en': '47.4'} wt.%
铟添加量
{'zh': '1.18', 'en': '1.18'} wt.%

技术优势

容量破千

在贫电解液和高载量的严苛条件下,仍能实现超过1000 mAh·g⁻¹的高比容量,接近硫的理论容量。

极低添加量大幅提效

仅添加1.18 wt.%的铟,就使活性物质含量提升至47.4 wt.%,比传统SPAN高约23%。

循环中自动修复

非晶In-S网络在循环中可逆地锚定和释放硫,防止活性物质相分离和聚集,保持结构稳定。

应用场景