Sb₂O₃缓冲层

EOT 0.67 nm

在二维半导体上沉积超薄均匀高κ介电层，实现高栅控效率的场效应晶体管。

Xu, Yongshan · 刘腾 · 刘开朗 · Zhao, Yinghe · 刘雷 · Li, Penghui · 聂安民 · Liu, Lixin · 於俊 · 冯鑫 · Zhuge, Fuwei · 李会巧 · 王欣然 · 翟天佑

Nature Materials 2023

参数信息

等效氧化层厚度（EOT）

0.67 nm

开关比

10^6

工作电压

0.4 V

技术优势

最薄EOT

EOT仅为0.67 nm，可大幅提升栅极电容和栅控效率。

超低工作电压

晶体管可在0.4 V下工作，显著降低功耗。

应用场景

• 低功耗晶体管：0.4 V即可驱动，大幅降低集成电路功耗。
• 二维材料集成电路：提供高质量栅极介质，推动二维材料电路实用化。
• 先进栅极介质：通过缓冲层实现EOT 0.67 nm，超越传统介质。
• 原子层沉积工艺：亲水表面可直接进行ALD高κ介质沉积。