室温零场斯格米子束

拓扑电荷达24倍

在室温和零磁场下实现整数拓扑电荷的稳定斯格米子束，无需低温或外场即可保持，可直接用于拓扑自旋电子器件。

汤进 · Wu, Yaodong · Xu, Xitong · Wang, Shouguo · 田明亮 · 杜海峰

Nature Communications 2024

技术优势

拓扑电荷 Q 可达 24（室温以上，零磁场）

材料为手性磁体 Co8Zn10Mn2

通过脉冲电流与反向磁场组合实现