超低功耗自兼容
采用交叉点结构，将导电面积缩至120 nm²，从根源上抑制导电细丝随机形成/断裂带来的时空变异，并省去外部限流电路。
Hu, Jiayang · Li, Baini · Hailiang, Wang · Yu, Kang · Zhao, Yuda · Yang, Xu · 师恩政 · 郭芸帆 · Xu, Kai · 俞彬
Advanced Functional Materials 2025
实现自兼容忆阻行为
基于交叉点忆阻器的神经元功耗大幅降低