PTABr掺杂CsPbI₂Br薄膜

太赫兹调制提升41%

PTABr添加剂同时钝化缺陷并提升结晶度，使无机钙钛矿薄膜的太赫兹调制性能与长期稳定性显著改善。

贺训军 · Sun, Binchao · Lu, Guangjun · 耿照新 · Wang, Yunzhi

Small Methods 2025

具体参数

太赫兹调制深度提升

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空气存放后保持率

{'zh': '90', 'en': '90'} %

技术优势

调制深度提升41%

PTABr钝化缺陷并提高结晶度，减少了载流子非辐射复合，使得0.61 THz处的调制深度显著提升。

可空气存放

掺杂后的薄膜在25 °C、25%相对湿度的空气环境中存放60天后仍保持初始最大调制深度的90%以上，无需严格封装。

成膜质量更好

PTABr掺杂使薄膜形貌均匀、无针孔，晶粒尺寸更大，有利于电荷传输和器件性能。

应用场景

• 太赫兹调制器：提供高效且稳定的太赫兹调制有源层，可直接替代有机-无机钙钛矿调制材料。
• 钙钛矿光电器件：通过添加剂钝化缺陷并提升稳定性，推动无机钙钛矿在光电器件中的实用化。
• 太赫兹通信：高调制深度与长期稳定性可满足太赫兹通信对调制器件的耐久性和性能要求。
• 太赫兹无损检测：稳定的调制性能可保障无损检测系统长时间连续工作的可靠性。