Ba1-xSrxCu2Ge2O7陶瓷

低温共烧兼容银电极

875°C低温烧结即可获得优异微波介电性能,且与银电极化学兼容,适合制作多层高频器件。

Yaodong, Liu · Song, Xiaoqiang · Du, Kang · Yin, Changzhi · Cai, Yiyang · Yang, Jiaqing · 雷文 · Lü, Wengzhong

Journal of the European Ceramic Society 2023

参数信息

介电常数
9.26
品质因数
85660 GHz
谐振频率温度系数
-15.6 ppm/°C
成相温度
850 °C

技术优势

烧结温度低至850℃

单相BaCu2Ge2O7在850℃即可形成,远低于传统微波介质陶瓷的烧结温度,大幅降低能耗并可与银电极共烧。

与银电极化学兼容

扫描电镜分析证实Ba1-xSrxCu2Ge2O7与银之间不发生反应,可直接用于LTCC多层器件,避免使用昂贵的金或铜电极。

高频低损耗

x=0.10时Q×f高达85,660 GHz,在微波频段能量损耗极低,有利于信号传输和频率选择性。

介电常数适中

εr=9.26,适中且稳定,适合作为基板材料,在信号延迟与器件小型化之间取得平衡。

应用场景