低压高频大变形
通过2D MOF与3D Cu(OH)2纳米管的异质界面失配，构筑出可控晶粒尺寸与少层堆叠的电极结构，使致动器在低驱动电压下兼顾高响应速率与大形变。
Cao, Hongyu · Ji, Liang · 申胜平
Chemical Engineering Journal 2023
−0.2 V驱动即可实现0.463 mm⁻¹ V⁻¹的电压相关变形，因为异质界面失配调控了MOF晶粒为少层堆叠，增加离子迁移速率和数量。
响应速率达0.031 mm⁻¹ s⁻¹ V⁻¹，工作频率上限20 Hz，源于可控晶粒尺寸和均匀分布带来的快速离子迁移。
在−0.3 V、0.01 Hz连续条件下产生19.24 MPa机械应力，足以驱动超过自身重量25倍的物体。