C-C键断裂石墨化抛光

15.8 μm/h 去除率

提出基于C-C键断裂引发石墨化的新型材料去除机制，在低气压和紫外照射下实现金刚石高效无碎裂抛光。

Liu, Nian · Ling, Lei · 陆昊 · Huilong, Jiang · Zhang, Yongjie · 肖峻峰 · 张建国 · 陈肖 · 许剑锋

International Journal of Mechanical Sciences 2025

参数信息

材料去除率

15.8 μm/h

分钟内从

465.5 nm

技术优势

在低气压和紫外照射条件下实现高磨损率