多空位MoSe₂纳米片

1000 mA cm⁻² 下工作 650 h

通过 He⁺ 离子辐照在惰性基面上同时引入多种空位,提高电导率并降低水分解能垒,使 MoSe₂ 纳米片阵列在大电流密度下实现高效稳定析氢。

Huang, Liqiu · Guo, Wei · Jiaqi, Wang · Li, Derun · Jia, Shuangfeng · Shixin, Wu · Jiang, Tao · Guo, Yakun · Liu, Yichao · Ren, Feng

Advanced Energy Materials 2023

具体参数

过电位
{'zh': '90', 'en': '90'} mV
Tafel 斜率
{'zh': '49', 'en': '49'} mV dec⁻¹
稳定性
{'zh': '650', 'en': '650'} h

技术优势

工业电流密度下稳定

在 1000 mA cm⁻² 下可连续工作 650 小时,而原始样品仅数小时,满足工业电解水对寿命的要求。

过电位低

在 10 mA cm⁻² 时过电位仅 90 mV,优于许多文献报道的 TMD 催化剂。

Tafel 斜率小

Tafel 斜率为 49 mV dec⁻¹,表明反应动力学快,有利于大电流下工作。

基面空位激活

DFT 计算表明,单 Se 和单 Mo 空位提高电导率,降低水分解和质子吸附能垒,从根本上激活惰性基面。

应用场景