Ga2O3光子控制二极管

高灵敏DUV/X射线探测

无需集成开关元件，单器件同时实现光探测与整流功能，可用于高分辨率无串扰阵列成像。

Zhixin, Peng · 侯小虎 · Zhao, Han · Zhiyu, Gan · Chen, Li · Wu, Feihong · Bai, Shiyu · Shujie, Yu · Liu, Yan · 杨凯 · Xiao, Feng · Haoyan, Zhan · 赵晓龙 · 徐光伟 · Shibing, Long

Advanced Functional Materials 2024

参数信息

光响应度

168 A W⁻¹

比探测率

1.45×10¹⁵ Jones

X射线灵敏度

1.23×10⁵ µC Gy_air⁻¹ cm⁻²

技术优势

无需集成开关元件

光子控制二极管仅在光照下表现出整流特性，本身即可实现像素选通，从而在阵列成像中省去每个像素的晶体管，简化了制备流程。

DUV探测性能优异

器件在深紫外光照下响应度高达168 A W⁻¹，比探测率达1.45×10¹⁵ Jones，显示出极高的灵敏度和弱信号探测能力。

X射线灵敏度高

对X射线具有1.23×10⁵ µC Gy_air⁻¹ cm⁻²的高灵敏度，适用于医疗诊断和科学成像中的高能辐射检测。

应用场景

• 高能辐射探测：用于X射线等高能辐射的灵敏探测，如医学诊断和空间探测。
• 医疗成像：高分辨、抗串扰阵列可直接用于X射线医学成像，提高图像质量。
• 紫外/ X射线光电探测：兼具高响应度和高灵敏度，适用于从紫外到X射线的宽波段探测。
• 高分辨率成像阵列：无需集成开关元件即可实现像素选通，可构建高像素密度阵列。