激光辅助研磨态4H-SiC晶片

粗糙度降30%

皮秒激光烧蚀辅助研磨工艺处理的碳化硅晶片，显著降低磨削力和热效应，获得低损伤表面，优于常规研磨。

Yang, Yuying · Guangfei, Li · 周婷婷 · 衣明东 · Qu, Shuoshuo · 许崇海

International Journal of Advanced Manufacturing Technology 2025

参数信息

表面粗糙度（C面）
29.4 nm
表面粗糙度（Si面）
31.1 nm
最佳扫描次数
75
最佳扫描速度
500 mm/s

技术优势

粗糙度显著降低

在最佳参数下，C面粗糙度降至29.4 ± 3.8 nm（比常规研磨低22.8%），Si面降至31.1 ± 2.6 nm（低30%）。

降低磨削力与热效应

激光烧蚀改变了表面特性，使得后续研磨过程中的磨削力和热效应降低，从而减少损伤。

低损伤研磨

实现了4H-SiC晶体的低损伤研磨，推动了该技术在超精密加工中的应用。

应用场景