单模选择性47.9 dB
利用优化参数的半波耦合器，该激光器在940 nm处展现出卓越的单模选择性，且结构紧凑、易于制造。
陈拓 · 李明宇 · Yuxia, Song · Chang, Kai · Yonggang, Zou · Jian-Jun, He
Results in Physics 2024
优化半波耦合器参数后，边模抑制比可达47.9 dB，确保激光器在940 nm处稳定单模工作。
通过优化弯曲波导多项式参数，波导透射率超过99.4%，减少光在传输过程中的损耗。
采用V型腔设计，波导宽度仅3 μm，波长间隔0.6 nm，实现小型化集成。