非晶纳米柱

位错钉扎增效

在镁基体中引入非晶纳米柱相，通过位错钉扎或剪切机制调节复合材料的强度与塑性，为设计高性能镁合金提供新路径。

安敏荣 · Su, Mengjia · Li, R. N. · Ye, Tian · 邓琼 · 宋海洋 · 王晨

Journal of Materials Research and Technology 2023

参数信息

应变速率（低）

5×10^7 /s

应变速率（低）

5×10^8 /s

应变速率（高）

5×10^9 /s

应变速率（高）

1×10^10 /s

技术优势

钉扎强化

在低应变速率下，非晶沉淀相通过钉扎位错阻碍其运动，从而强化镁基体。

大尺寸强化显著

增大非晶相尺寸可提升对位错的强化效果，机理转变为交滑移。

高应变速率软化

在高应变速率下，非晶相反而导致软化，可通过位错剪切或生成位错环实现。