缺陷工程钛酸钡陶瓷

绝缘电阻提升

该陶瓷通过受主掺杂调控点缺陷与晶界势垒，显著提升的抗降解行为使其成为高可靠性多层陶瓷电容器的理想介电材料。

Yetong, Lv · 王鹏飞 · Qin, Yexia · Zhao, Jianwei · Yang, Jun · Fu, Zhenxiao · Cao, Xiuhua · Zhang, Lei · Yu, Shuhui · Sun, Rong

Ceramics International 2024

参数信息

最优掺杂量

0.5 mol%

技术优势

抗降解性能最优

0.5 mol% Mg掺杂陶瓷通过钡空位在晶界偏析，提高了晶界肖特基势垒，从而抑制绝缘电阻衰减。

明确缺陷调控机制

揭示了受主掺杂下钡空位与氧空位的竞争关系：低浓度时钡空位主导，高浓度时氧空位主导，为可靠性优化提供了理论依据。

应用场景

• 高可靠性MLCC：直接用于制备超薄层MLCC介质层，提升绝缘电阻稳定性。
• 介电陶瓷：作为介电陶瓷材料，通过掺杂调控晶界势垒提高可靠性。
• 微电子器件：用于微电子器件中的电容器，满足高可靠性需求。