铜卤化物 PIN 光电二极管

自供电窄带紫外探测

通过离子扩散工程在溶液法制备的铜卤化物中构建出高质量 p-i-n 异质结,解决了界面互扩散和缺陷问题。

Jiaquan, Li · Huimin, Duan · Hainan, Qin · Sheng, Ma · Xiaopeng, Huang · 曹小兵 · 杨威嘉 · 合性 · Sun, Yiming · 宋伟东

Applied Surface Science 2026

参数信息

峰值响应度
186 mA/W
比探测率
1.05 × 10¹¹ Jones
上升时间
133 μs
浊度传感线性范围
200–1000 NTU

技术优势

一步自组装 p-i-n 结

利用 CuI/CsI 双层膜的受控 Cu⁺ 和 Cs⁺ 互扩散,原位形成相纯的 CsCu₂I₃ 本征层,同时保留连续的 CuI 帽层和与 n-GaN 的陡峭界面,免去了逐层沉积的对准和界面缺陷。

超越商用硅探测器

与商用紫外增强硅光电二极管相比,器件具有更高的响应度、更低的暗电流,并在 200–1000 NTU 宽量程内展现更好的浊度传感线性度。

应用场景