晶界钉扎HZO忆阻器

线性度近理想

通过Cu纳米颗粒在HZO外延薄膜中引入晶界,将导电细丝生长限域在晶界内,显著抑制了随机性,从而实现近乎理想的线性和对称的电导调控。

Tao, Zeng · Shi, Shu · Hu, Kejun · Jia, Lanxin · Boyu, Li · Kaixuan, Sun · Hanxin, Su · Gu, Youdi · 许小红 · 宋冬生 · 闫小兵 · Chen, Jingsheng

Advanced Materials 2024

技术优势

抑制了随机细丝生长

外延HZO中嵌入Cu纳米颗粒形成晶界,晶格中的氧空位扩散比晶界中更难,因此细丝生长被限制在晶界内,减少了随机性。

线性度和对称性接近理想

通过限制细丝生长,器件实现了接近理想的线性度和对称性,有利于神经网络训练精度。

已演示十进制运算

利用高线性和多级电导调制能力,该器件展示了十进制运算功能。

高精度神经网络演示

该器件的高线性电导调制能力使得高精度神经网络得以实现。

应用场景