神经微针阵列

尖端暴露一致性超高

一种无需刻蚀的局部去绝缘方法，可在三维微针尖端精确控制暴露区域，显著提升记录位点的一致性。

Zhao, Xin · Wei, Chunrong · Zhu Deguang · 杨晓伟 · Han, Guowei · 金宁 · Gui, Qiang · Tang, Rongyu · 王毅军 · 耿照新 · 裴为华

Microsystems and Nanoengineering 2025

具体参数

非均匀性

{'zh': '3.32', 'en': '3.32'} %

平均信噪比

{'zh': '12.63', 'en': '12.63'}

技术优势

免刻蚀工艺

省去针尖刻蚀步骤，通过保护层剥离绝缘层，简化了三维微针阵列的制造流程。

暴露面积可控

优化保护材料的弹性、附着力和形状，可精确控制去除绝缘层的面积，实现一致的针尖暴露。

记录位点一致性高

10×10阵列暴露记录位点的非均匀性仅为3.32±1.02%，远优于传统刻蚀工艺，提高了记录可靠性。

应用场景

• 脑机接口：高一致性微针阵列提供稳定神经信号，提升脑机接口解码精度。
• 神经记录：暴露面积可控的针尖实现可靠单神经元记录，减少信号变异。
• 微针阵列：免刻蚀制造方法简化三维微针阵列制备，提高批量一致性。