薄倍增区锗硅APD

倍增区仅0.1 μm

通过减薄倍增区至0.1 μm强化雪崩电场，大幅降低暗电流与死区，在同类Ge-on-Si APD中实现更高的响应度、探测率与信噪比。

Yanning, Chen · Fang, Liu · Yali, Shao · Yingzong, Liang · Du, Sichao · 尹文言

IEEE Access 2024

参数信息

响应度

22.58 A/W

光暗电流比

1e5

归一化光暗电流比

2.5e9 W^-1

比探测率

7.45e12 Jones

噪声等效功率

2.42e-15 W/√Hz

技术优势

信噪比高两个数量级

光暗电流比达约10^5，热电荷密度低，探测微弱信号更可靠。

高增益线性响应

响应度22.58 A/W，在相同偏压下薄倍增区器件全面优于厚倍增区器件。

应用场景

• 光通信接收器：高响应度与低噪声使光通信接收灵敏度大幅提升。
• 单光子探测：高增益与极高光暗电流比让单光子信号更易分辨。
• 弱光成像：高探测率与极低噪声等效功率支持在黑暗环境中成像。
• 激光雷达：高响应度与快速响应特性适配激光雷达测距需求。