钨掺杂O3型锰基正极

高压下氧反应可逆

通过微量钨掺杂，在O3型层状锰基氧化物正极中引入异质化学键，同时稳定晶格氧并原位形成钨酸钠界面涂层，兼顾高电压下的容量与循环。

Xuexiu, Gu · Gao, Xuanwen · Dong-Run, Yang · Gu, Qinfen · 宋云 · Hong, Chen · Tian-Zhen, Ren · 罗文斌 · 骆文彬

Journal of Energy Chemistry 2024

具体参数

放电容量
{'zh': '168.5', 'en': '168.5'} mAh g⁻¹
首次库仑效率
{'zh': '94.6', 'en': '94.6'} %

技术优势

高电压下氧反应更可逆

钨的异质化学键稳定了八面体结构，促进氧氧化还原反应可逆性，从而抑制晶格氧流失。

首次效率直接到94.6%

钨掺杂和涂层协同作用，大幅减少了首次循环中的不可逆容量损失。

原位生成离子导电涂层

表面自发形成Na₂WO₄层，既稳定界面又提升Na⁺扩散，不增加额外工序。

应用场景