过冲振荡独立抑制
与常规驱动器相比，该驱动器可同时降低开关损耗和延迟时间。
李强 · 杨媛 · Wen, Yang · Guoliang, Zhang · Wenbin, Xing
IEEE Transactions on Industrial Electronics 2025
通过建立过冲与振荡的等效模型并据此设计调制策略，驱动电路可以分别调节过冲和振荡的抑制强度，不再相互制约。
与传统栅极驱动器相比，在不同的电压电流过冲要求下，所提出的驱动器均能降低开关损耗和延迟时间。
在1.2 kV/120 A SiC MOSFET模块上，于不同栅极电阻、负载电流和温度条件下均验证了过冲和振荡的抑制效果。