表面粗糙度0.76纳米
通过优化的化学机械抛光工艺，实现ZnGeP2晶体的超光滑表面，为红外非线性光学应用提供高质量衬底。
Xiong, Qiang · Ziyuan, Luo · 阎秋生 · 路家斌 · 潘继生
Materials Science in Semiconductor Processing 2023
优化工艺参数后，表面粗糙度低至0.76 nm，满足高性能红外光学元件的要求。
在5 N抛光载荷下，化学机械抛光的材料去除率比机械抛光提高23.4%，提升了加工效率。
建立了材料去除率和表面粗糙度的数学模型，可根据工艺参数预测抛光效果。