间隙掺杂Cu²⁺的LNMO正极

高温稳定不衰减

不同于表面包覆策略,Cu²⁺占据间隙位直接抑制锰溶出,在高温高压下保持结构完整。

Han, Yi · 刘俭 · Yu F.-D. · Jiang, Yunshan · Que L.-F. · Deng, Liang · 赵雷 · 王振波

Advanced Functional Materials 2025

参数信息

比放电容量
108.4 mAh g⁻¹
容量保持率
96.8 %

技术优势

高温容量保持率高

间隙Cu²⁺抑制了相分离和锰溶出,使LNMO在55 °C、1 C下循环100次后仍能保持96.8%的容量。

高温比容量高

在55 °C、1 C条件下,掺杂后的LNMO仍能提供108.4 mAh g⁻¹的比容量,高于未掺杂样品。

电子电导率提升

Cu²⁺掺杂增加了LNMO的电子电导率,有利于高倍率下的容量发挥。

抑制晶格膨胀

原位XRD证实间隙Cu²⁺在充放电过程中抵抗晶格膨胀,维持结构完整性。

应用场景