Ni取代BaZnP₂O₇陶瓷

高频低损耗

晶格能与带隙提升带来高Q×f，同时保持低介电常数，900°C即可致密化，适用于LTCC集成。

Huang, Fangyi · 苏桦 · 李元勋 · 简贤 · 唐晓莉

Materials Research Bulletin 2024

具体参数

品质因数

102,538 GHz

相对介电常数

7.43

谐振频率温度系数

-64 ppm/°C

技术优势

高频下损耗更低

Ni²⁺ 掺杂提高了晶格能和带隙，抑制了高频下的介电损耗。

900°C即可致密化

Ni²⁺ 掺杂促进了晶粒生长和致密化，使之适用于 LTCC 共烧工艺。

应用场景

• 微波介质元件：高 Q×f 与低 εr 适合制造低损耗谐振器与滤波器。
• LTCC基板：900°C 烧结温度满足 LTCC 共烧要求，可直接集成。
• 射频前端器件：低介电常数有助于高频信号传输，适合射频前端。
• 高频陶瓷封装：低损耗特性可减小封装中的信号衰减。