创纪录功率密度
通过半导体-半金属界面载流子注入优化,突破MgAgSb体系功率因子瓶颈。
Xie, Liangjun · Peng, Guyang · Sun, Yuxin · Liu, Zihang · Fushan, Li · Zhu, Yuke · Zhu, Jianbo · 吴昊 · Qu, Nuo · Shi, Wenjing · Lei, Jiao · Guo, Fengkai · 蔡伟 · 武海军 · 隋解和
Advanced Functional Materials 2024
MgCuSb纳米析出相通过金属-半导体欧姆接触向MgAgSb基体注入载流子,将平均功率因子优化至27.2 µW cm⁻¹ K⁻²,远高于以往报道。
八对模块在300K温差下产生2.9 W cm⁻²的功率密度,超越所有低温热电模块,同时实现7.65%效率。