析氧过电位低至 239 mV
通过原位定点裁剪金属位点，形成天然非优势的不饱和配位中心，并实现一维定向生长，从而提升析氧反应催化活性。
Li, Hang · Xinyu, Ding · Shi, Jiangwei · Su, Mengfei · Ye, Hu · Chunyan, Zhang · Gao F. · 陆轻铱
Small 2023
利用不同金属原子的还原性差异，在晶体生长过程中选择性裁剪金属位点，无需后处理即可形成不饱和配位中心。
通过原位捕获小还原分子，在生长过程中对晶面进行定点裁剪，实现一维定向生长，有利于电子传输和活性位点暴露。
在碱性条件下，10 mA cm⁻²时过电位仅为239 mV，优于原始PBA和已报道的缺陷PBA衍生物。