高场载流翻倍
用秒级离子辐照引入短柱缺陷,把本征弱钉扎换成强钉扎,在全温区抑制涡旋运动,使高场临界电流密度超过此前同类材料。
Junsong, Liao · 董持衡 · Ningning, Liu · Gong, Dongliang · 张现平 · 王栋樑 · 马衍伟
Materials Today Physics 2025
5 K, 4 T下Jc为8.7 MA/cm²,超过此前报道值
25 K, 5 T下Jc提升至1.2 MA/cm²,是未辐照样品的近180倍